北京恒奧德(de)儀(yi)器(qi)儀(yi)表有(you)限公(gong)司
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辦(ban)公(gong)地址(zhi):北京市(shi)海澱(dian)區(qu)富(fu)海中心
恒(heng)奧(ao)德(de)儀(yi)器(qi)直(zhi)讀式(shi)個(ge)人劑(ji)量計(ji) 個(ge)人輻(fu)射檢(jian)測(ce)儀(yi)的使用(yong)註(zhu)意事(shi)項(xiang) |
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| 詳(xiang)細介紹 | ||||||||||||||||
恒(heng)奧德(de)儀(yi)器(qi)直(zhi)讀式(shi)個(ge)人劑(ji)量計(ji) 個(ge)人輻(fu)射檢(jian)測(ce)儀(yi)的使用(yong)註(zhu)意事(shi)項(xiang) 主(zhu)要(yao)基(ji)於(yu)輻(fu)射(she)的電(dian)離作(zuo)用(yong),通過(guo)探(tan)測(ce)器(qi)將輻射(she)能(neng)量轉(zhuan)化為(wei)可測(ce)量(liang)的電(dian)信(xin)號,並(bing)經(jing)過(guo)處理顯示劑量(liang)或(huo)劑(ji)量(liang)率(lv)。
探(tan)測(ce)原(yuan)理與傳(chuan)感器(qi)類型 輻(fu)射檢測(ce)儀(yi)的核(he)心是輻射傳(chuan)感器(qi),常(chang)見類型包(bao)括(kuo)電(dian)離(li)室(shi)、蓋(gai)革-米(mi)勒計(ji)數(shu)管(G-M管)、半導體探測(ce)器(qi)和閃爍(shuo)體(ti)探(tan)測(ce)器(qi)。 3 當輻射(如(ru)α、β、γ射(she)線或(huo)X射(she)線)進(jin)入探(tan)測(ce)器(qi)時,會與(yu)內(nei)部材(cai)料(如(ru)氣(qi)體、半導體或(huo)閃(shan)爍(shuo)體(ti))相(xiang)互作(zuo)用(yong),產(chan)生(sheng)電(dian)離或(huo)激(ji)發效(xiao)應(ying),從(cong)而(er)生(sheng)成(cheng)電(dian)子(zi)-離(li)子對或(huo)光(guang)子(zi)信(xin)號。 3 例(li)如(ru),G-M管(guan)通過(guo)惰性(xing)氣(qi)體電(dian)離和雪(xue)崩放(fang)大(da)效應(ying)將單(dan)個(ge)輻射(she)事(shi)件轉化為脈(mai)沖(chong)電流(liu);半導體探測(ce)器(qi)則類似CMOS傳(chuan)感器(qi),統計(ji)輻射產生(sheng)的載(zai)流子(zi)數(shu)量。
信(xin)號處(chu)理與劑(ji)量計(ji)算(suan) 傳感器(qi)輸出(chu)的微(wei)弱電信(xin)號首先(xian)被電荷放(fang)大(da)器(qi)放(fang)大(da),隨後(hou)通過(guo)信(xin)號處(chu)理芯片(pian)進(jin)行積分、計(ji)數(shu)和校(xiao)正。 2 儀(yi)器(qi)內部算(suan)法將原(yuan)始信(xin)號轉(zhuan)換為輻(fu)射(she)劑量(如(ru)西(xi)弗(fu),Sv)或(huo)劑(ji)量(liang)率(lv)(如(ru)μSv/h),並(bing)補償能(neng)量響應(ying)以(yi)提高準(zhun)確(que)性(xing)。 7 部分設(she)備(bei)采用(yong)熱(re)釋光或(huo)固(gu)態(tai)探測(ce)器(qi)實(shi)現累(lei)積劑量(liang)測(ce)量(liang)。 操(cao)作(zuo)功能(neng)與用(yong)戶交互 個(ge)人輻(fu)射檢(jian)測(ce)儀(yi)通常(chang)為便(bian)攜(xie)式(shi)設(she)計(ji),配(pei)備液(ye)晶顯示屏實(shi)時顯示劑量(liang)率(lv)、累(lei)積劑量(liang)、報警(jing)閾(yu)值等(deng)信(xin)息。 9 用(yong)戶可(ke)通過(guo)前(qian)面(mian)板(ban)按(an)鈕(niu)或(huo)紅(hong)外(wai)接(jie)口(kou)(如(ru)ADR-1讀出(chu)器(qi))調整設(she)置(zhi),例(li)如(ru)切(qie)換顯示模式(shi)、復(fu)位劑(ji)量、設(she)置(zhi)報警(jing)閾(yu)值或(huo)檢(jian)測(ce)電(dian)池(chi)狀態(tai)。 9 報警(jing)系統在輻(fu)射(she)水平超(chao)過預設(she)限值時觸發聲光提示(如(ru)蜂(feng)鳴(ming)器(qi)>85dB或(huo)LED閃(shan)爍(shuo)),部分設(she)備(bei)支持滯(zhi)留(liu)時間報警(jing)和劑量(liang)率(lv)雙(shuang)報警(jing)模式(shi)。 使用(yong)註(zhu)意事(shi)項(xiang) 操(cao)作(zuo)時需避免傳(chuan)感器(qi)直(zhi)接(jie)暴露(lu)於(yu)強(qiang)輻(fu)射(she)或(huo)物理沖(chong)擊,以(yi)防(fang)止(zhi)性(xing)能(neng)下(xia)降。 6 設(she)備(bei)通常(chang)依賴AAA堿(jian)性(xing)電池(chi)供電(續(xu)航(hang)約1800小(xiao)時),並需定(ding)期校(xiao)準以(yi)確(que)保線性(xing)誤差(cha)在允(yun)許(xu)範圍內(nei)(如(ru)劑(ji)量(liang)率(lv)0.1μSv/h至(zhi)9.99Sv/h)。 9 數(shu)據可通過(guo)無(wu)線接(jie)口(kou)下(xia)載(zai)至電(dian)腦進(jin)行長(chang)期管理。
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