恒(heng)奧(ao)德儀(yi)器紫外光(guang)加(jia)臭(chou)氧清洗(xi)機(ji)具體操作(zuo)流(liu)程(cheng)

通(tong)過紫外線和臭(chou)氧的(de)協同作(zuo)用實現(xian)表面清洗(xi)，其核心原(yuan)理如下：

協同作(zuo)用機(ji)制

設備(bei)采(cai)用雙(shuang)波長(chang)紫外線（185nm和254nm）與(yu)臭(chou)氧結合(he)：

‌185nm紫外線‌將(jiang)空(kong)氣中(zhong)的(de)氧氣(qi)（O₂）分(fen)解為臭(chou)氧（O₃）；

‌254nm紫外線‌激(ji)發(fa)臭(chou)氧（O₃）產(chan)生活(huo)性氧原(yuan)子(zi)（O）；

活(huo)性氧原(yuan)子(zi)與物(wu)體表面的(de)有(you)機(ji)汙(wu)染(ran)物(wu)發(fa)生(sheng)氧(yang)化(hua)反應(ying)，將(jiang)其分解為二氧(yang)化(hua)碳（CO₂）、水(shui)（H₂O）等無(wu)害物(wu)質。 ‌

具(ju)體操作(zuo)流(liu)程(cheng)

‌汙(wu)染(ran)物(wu)分解‌：有(you)機(ji)汙(wu)染(ran)物(wu)在雙(shuang)波長(chang)紫外線和臭(chou)氧作用下，化(hua)學鍵被破(po)壞並(bing)氧(yang)化(hua)；

‌氣體揮發(fa)‌：分(fen)解產(chan)物(wu)以氣體形式(shi)逸(yi)出(chu)物(wu)體表面，實現(xian)原子(zi)級清潔(jie)；

‌適用場景‌：適用於(yu)石(shi)英/玻(bo)璃制品(pin)、微(wei)電子(zi)元件(jian)、精(jing)密(mi)電路板(ban)等(deng)對(dui)清潔(jie)度要求(qiu)高的(de)場景。 ‌

該設備(bei)通(tong)過非接觸(chu)式(shi)清(qing)洗(xi)，避(bi)免損(sun)傷基(ji)材，效(xiao)率(lv)高於(yu)傳統方(fang)法